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mos 计算

假设两个管子参数一样。并联时,各点的电压对应相等,两管子电流相等,由电流的表达式知道总的电流等于同样的电压下2W/L的管子的电流。 串联时,下面的管子工作在线性区,上面的管子分工作在线性区和饱和区进行讨论。根据电流相等的条件列出两个...

手册中给出的通态电阻,是完全导通后的最小值。 如果MOS管没有完全饱和导通,必须按实际漏极源极的电压和电流计算。 额定功率是指使用足够大的散热器所能承受的耗散功率。9W的话,必须加足够的散热器。

1. 是用N沟道还是P沟道 。选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构 成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件...

MOS管的功率,一般是指Maximum Power Dissipation--Pd,最大的耗散功率,具体是指MOS元件的容许损失,可从产品的热阻上求得。当Tc=25度时,通过附加最大容许损耗Pd,则变为Tc=150度max. Pd=(Tcmax-Tc)/Rth(ch-c) MOS管大功率和小功率也只是一个...

仿真有时候是不准确的, 按照现在的电路,MOS管是可以工作在开关状态的,只是有的MOS管开通电压比较高,5V可能开不了,所以就进入放大区了。 楼主可以选开通电压低的MOS管。电路中的电阻值基本能用。

一般是利用I对V的偏导求。 注意,这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。 case1:VdsVgs-Vt,MOS处于饱和区, Id = 0.5*u*Cox*(W/L)*[(Vgs-Vt)^2] 同样求偏导:g = partial (Id)/partial (Vgs) = u*Cox*(Vgs-Vt)*(W/L) 如果你知道Id...

一般是利用I对V的偏导求。 注意,这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。 case1:VdsMOS处于线形区, Id=u*Cox*(W/L)*[(Vgs-Vt)*Vds-0.5(Vds^2)] 然后I对Vgs求偏导即可:g = partial (Id)/partial (Vgs)= u*Cox*Vds*(W/L) 以上partial...

在MOS方法中,0分代表最差的质量,5分为最高分。标准PCM的质量约为4.4分。常见编码格式对应MOS值如下:G.711——MOS= 4.8G.721、G.723、G.726——MOS= 4.2G.728 ——MOS=4.2G.729 ——MOS=4.2G.723.1(5.3)——MOS=3.5G.723.1(6.3)——MOS=3.98目前,对于D...

给mos管两端加上直流电,然后让mos导通,看一下耗电就行了。

MOS管的最大功耗取决于管子允许的温升,最好功耗确定后,便可在管子的输出特性曲线上画出临界最大功耗线。

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